Universiteit van Illinois bij Urbana-Champaign onderzoekers hebben een nieuwe aanpak ontwikkeld om de groene LED-helderheid te verbeteren en de efficiëntie ervan te verbeteren.
Professor Can Bayram, assistent-professor in elektrotechnische en computertechniek aan de Universiteit van Illinois, heeft een nieuwe aanpak ontwikkeld om de helderheid en efficiëntie van groene LED's te verbeteren. (Alle Bron: Universiteit van Illinois)
Met behulp van industriële standaard halfgeleider-lange kristaltechnologie produceerden onderzoekers galliumnitride (GaN) kristallen op silicium substraten die hoogwaardig groen licht produceren voor solid-state verlichting.
"Dit is een baanbrekend proces waarin onderzoekers erin slagen om nieuwe grondstoffen te produceren op een verstelbaar CMOS silicium proces, dat is een vierkante gallium nitride (kubieke GaN)", aldus Can Bayram, adjunct-professor in elektrische en computer engineering aan de Universiteit van Illinois . ), Dit materiaal wordt voornamelijk gebruikt voor groene golflengte emitter.
Het gebruik van halfgeleiders voor het detecteren en communiceren om zichtbare lichtcommunicatie toepassingen te openen en optische communicatie is de technologie om de lichttoepassing volledig te veranderen. LED's die CMOS-processen ondersteunen, kunnen snelle, efficiënte, low-power en multi-application groene LED's behalen, terwijl de kosten van veel procesapparaten worden vermeden.
Meestal vormt GaN een of twee kristalstructuren, zeshoekige of kubus. Zeshoekige GaN is thermisch stabiel en is een traditionele halfgeleider applicatie. Zeshoekige GaN is echter meer vatbaar voor polarisatieverschijnselen, het interne elektrische veld zal negatieve elektronen zijn en positrons gescheiden om te voorkomen dat ze binden, wat resulteert in efficiëntie van de lichtuitgang.
Tot nu toe kunnen onderzoekers alleen gebruik maken van de moleculaire bundel epitaxy (Molecular beam epitaxy) om Square GaN te maken, dit proces is erg duur en in vergelijking met het MOCVD proces is het erg tijdrovend.
Onderzoekers hebben erin geslaagd nieuwe grondstoffen te produceren op het afstembare CMOS-siliciumproces, dat is vierkante galliumnitride, die voornamelijk wordt gebruikt voor groene golflengte-emitter.
Bayram zei: "lithografie en isotrope etsetechnieken maken U-rij groeven op silicium. Deze laag van niet-geleidende barrière speelt een sleutelrol in het vormen van zeshoekig naar vierkant. Onze GaN is niet intern Het elektrische veld kan de elektronen scheiden, dus er kan Overlappende problemen, elektronen en gaten worden sneller gecombineerd en gemaakt van licht.
Bayram en Liu geloven dat hun vierkante GaN-kristallen erin kunnen slagen om de LED in staat te stellen een nuldruppel te bereiken (druppel). Voor groene, blauwe of UV-LED's zal de lichtgevendheid van deze LED's geleidelijk dalen met de ingang van stroom, het zogenoemde lichtfout.
Uit deze studie blijkt dat polarisatie een beslissende rol speelt bij het probleem van lichtfalen, waardoor elektronen weg van groeven worden geduwd, vooral bij lage invoerstromen. In het geval van nulpolarisatie kan de vierkante LED een dikker lichtemitterende laag bereiken en de verminderde elektron- en groefoverlapping en de huidige overbelasting oplossen.
Beter groene LED zal met succes nieuwe LED-verlichtingsverlichting toepassen. Deze LED's geven bijvoorbeeld wit licht door te mengen en energiebesparingen te behalen. Andere geavanceerde toepassingen omvatten ook het gebruik van niet-fluorescerende groene LED-productie super-parallelle LED-toepassingen, watercommunicatie en bijvoorbeeld optische genetica en migraine en andere biotechnologische toepassingen.
http://www.luxsky-light.com
Gerelateerde woorden:
IP65 LED Panelen , UL LED Panelen , LED profiel licht , LED lineaire groei licht , hoge bay licht, lineaire commerciële verlichting
